文献类型：期刊文章

作　　者：李铁[1] 王景芹[1] 曹冠龙[3] 王佳佳[2] 张紫辉[2]

LI Tie;WANG Jingqin;CAO Guanlong;WANG Jiajia;ZHANG Zi-Hui(State Key Laboratory of Reliability and Intelligence of Electrical Equipment,Tianjin 300132,China;School of Electronic and Information Engineering,Hebei University of Technology,Tianjin 300401,China;Technology Transfer Center,Hebei University of technology,Tianjin 300401,China)

机构地区：[1]省部共建电工装备可靠性与智能化国家重点实验室,天津300132 [2]河北工业大学电子信息工程学院,天津300401 [3]河北工业大学技术转移中心,天津300401

出　　处：《河北工业大学学报》

基　　金：国家自然科学基金(51777057)。

年　　份：2020

卷　　号：49

期　　号：5

起止页码：53-57

语　　种：中文

收录情况：AJ、CAS、ZGKJHX、ZMATH、普通刊

摘　　要：设计了一种具有自屏蔽量子限制斯塔克效应(QCSE)的绿光LED。该器件主要是用沿极性面[0001]方向生长的InN组分渐变量子垒来替代传统的GaN量子垒,从而在量子垒的内部产生极化体电荷。该极化体电荷能够抵消由极化作用在异质结界面处产生的界面电荷,进而有效地屏蔽量子阱内所产生的内建极化电场。另外InN组分的提高,一定程度上降低了量子垒的势垒高度,促进了空穴注入有源区。因此,器件的光输出功率和外量子效率(EQE)均得到显著提升。

关 键 词：绿光LED 极化效应 QCSE  自屏蔽  外量子效率 组分渐变  

分 类 号：TN312.8]