文献类型：期刊文章

作　　者：张子旭[1] 王婉君[1] 樊义棒[1] 高薇[1] 耿柏琳[1] 王辉[1] 赵洋[1]

Zhang Zixu;Wang Wanjun;Fan Yibang;Gao Wei;Geng Bolin;Wang Hui;Zhao Yang(Henan Key Laboratory of Photoelectric Energy Storage Materials and Applications,School of Physics and Engineering,Henan University of Science and Technology,Luoyang 471023,China)

机构地区：[1]河南科技大学物理工程学院河南省光电储能材料与应用重点实验室,河南洛阳471023

出　　处：《半导体技术》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61674052,11404097);河南省高等学校重点科研项目(20A140012);河南省高校省级大学生研究训练计划(SRTP)项目(S201910464024);河南科技大学大学生研究训练计划(SRTP)项目(2019208);河南科技大学物理与工程学院大学生研究训练计划(SRTP)项目(wlsrtp201910)。

年　　份：2020

卷　　号：45

期　　号：10

起止页码：764-769

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2017、CAS、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用磁控溅射法在氧化铟锡(ITO)导电玻璃衬底上制备InN薄膜,研究了氮气体积分数对InN薄膜晶体结构、表面形貌和光电特性的影响。X射线衍射测试结果表明,所制备的InN薄膜均为六方纤锌矿结构,且随着氮气体积分数的增加,InN薄膜由沿(101)面择优生长逐渐变为沿(002)面择优生长。原子力显微镜结果表明,随着氮气体积分数的增加,InN薄膜表面粗糙度逐渐减小。此外,通过光致发光谱和光学吸收谱测得氮气体积分数为100%时制备的InN薄膜禁带宽度分别为1.45 eV和1.47 eV。霍尔测试结果表明,InN薄膜均呈现n型导电特性,且随着氮气体积分数的增加,其迁移率由4.57 cm2·V-1·s-1增加至12.2 cm2·V-1·s-1,载流子浓度由8.498×1021 cm-3减小至2.041×1021 cm-3,电阻率由16.08×10-4Ω·cm减小至2.118×10-4Ω·cm。该研究为InN在高效太阳电池及发光器件领域的应用提供有益的参考。

关 键 词：磁控溅射  INN薄膜 氮气体积分数  氧化铟锡(ITO)  物理特性

分 类 号：TN304.2]