文献类型：期刊文章

作　　者：白梁军[1] 黄萌[1] 饶臻[1] 潘尚智[1] 查晓明[1] 刘国友[2]

BAI Liangjun;HUANG Meng;RAO Zhen;PAN Shangzhi;ZHA Xiaoming;LIU Guoyou(School of Electrical Engineering and Automation,Wuhan University,Wuhan 430072,Hubei Province,China;State Key Laboratory of New Power Semiconductor Devices(Zhuzhou CRRC times Electric Co.,Ltd.),Zhuzhou 412001,Hunan Province,China)

机构地区：[1]武汉大学电气与自动化学院,湖北省武汉市430072 [2]新型功率半导体器件国家重点实验室(株洲中车时代电气股份有限公司),湖南省株洲市412001

出　　处：《中国电机工程学报》

基　　金：国家自然科学基金重点项目(51637007)。

年　　份：2020

卷　　号：40

期　　号：18

起止页码：5787-5795

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2017、CSCD、CSCD2019_2020、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)在新能源并网、电力传输等领域中得到了广泛应用,其可靠性引起了人们关注和重视。针对IGBT模块的可靠性分析和剩余使用寿命问题,文中提出一种利用加速老化数据对IGBT模块老化模型建立方法,并利用建立的老化模型对IGBT模块的剩余使用寿命进行预测。首先介绍IGBT的失效机理,结合现有的加速老化数据,确定的以集电极-发射极通态压降作为剩余使用寿命预测依据。建立基于GARCH模型的IGBT老化寿命模型,通过3组IGBT模块加速老化数据对剩余寿命预测,验证所提方法的有效性。

关 键 词：IGBT模块 RUL预测  失效机理  GARCH模型

分 类 号：TM46]