文献类型：期刊文章

作　　者：项国姣[1] 高薇[1] 付宏远[1] 周毅坚[1] 彭文博[1] 赵洋[1] 王辉[1]

XIANG Guojiao;GAO Wei;FU Hongyuan;ZHOU Yijian;PENG Wenbo;ZHAO Yang;WANG Hui(Henan Key Laboratory of Photoelectric Energy Storage Materials and Applications,School of Physics and Engineering,Henan University of Science and Technology,Luo yang Henan 471023,CHN)

机构地区：[1]河南科技大学物理工程学院,河南省光电储能材料与应用重点实验室,河南洛阳471023

出　　处：《光电子技术》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61674052,11404097);河南省高等学校重点科研项目(20A140012);河南省高等学校青年骨干教师培养对象项目(2018GGJS054);河南省高校省级大学生创新创业训练计划(SRTP)项目(S201910464024);河南科技大学大学生研究训练计划(SRTP)项目(2019208);河南科技大学物理与工程学院大学生研究训练计划(SRTP)项目(WLSRTP201910)。

年　　份：2020

卷　　号：40

期　　号：3

起止页码：180-185

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2017、CAS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用射频磁控溅射设备以NiO为空穴注入层在MQWs/n-GaN上制备了p-NiO/MQWs/n-GaN异质结发光器件。通过X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、紫外分光光度计(UV-2700)等测试系统对制备的NiO层结构、形貌及光学特性进行了测试,结果表明NiO薄膜具有较好的结晶质量。对p-NiO/MQWs/n-GaN异质结器件进行了电流-电压(I-V)特性和电致发光(EL)特性测试。I-V特性测试结果显示,器件具有明显的整流特性,开启电压约为2.9 V。EL特性测试结果显示,该器件实现了室温下的蓝紫光发射,结合GaN的光致发光(PL)谱和器件的能带结构图,对器件的电致发光机理进行了深入研究。

关 键 词：NIO 量子阱  磁控溅射 电致发光

分 类 号：TN2]