文献类型：期刊文章

作　　者：何诺天[1] 唐慧丽[1] 刘波[1] 张浩[1] 朱智超[2] 赵衡煜[1] 徐军[1,3]

HE Nuotian;TANG Huili;LIU Bo;ZHANG Hao;ZHU Zhichao;ZHAO Hengyu;XU Jun(MOE Key Laboratory of Advanced Micro-Structured Materials,School of Physics Science and Engineering,Institute for Advanced Study,Tongji University,Shanghai 200092,China;School of Chemical Science and Engineering,Tongji University,Shanghai 200092,China;Shanghai Engineering Research Center for Sapphire Crystals,Shanghai 200092,China)

机构地区：[1]同济大学高等研究院物理科学与工程学院,先进微结构材料教育部重点实验室,上海200092 [2]同济大学化学科学与工程学院,上海200092 [3]上海蓝宝石晶体工程研究中心,上海200092

出　　处：《人工晶体学报》

基　　金：Scientific and Innovative Action Plan of Shanghai(18511110502);Equipment Pre-research Fund Key Project(6140922010601)。

年　　份：2020

卷　　号：49

期　　号：8

起止页码：1534-1540

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2017、CAS、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用浮区法(FZ)生长Ge掺杂β-Ga2O3晶体,利用XRD和Raman光谱研究了掺杂对晶体结构的影响。透射光谱测试表明,随着Ge离子掺杂浓度增加,Ge∶β-Ga2O3晶体光学带隙增大。在4.67 eV紫外光激发下,Ge∶β-Ga2O3晶体的发光强度与β-Ga2O3晶体相当,发光衰减时间比β-Ga2O3晶体更快。

关 键 词：氧化镓 Ge掺杂  发光性能 快衰减  

分 类 号：O73]