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期刊文章详细信息

大尺寸ZnGeP2单晶生长与大尺寸晶体器件制备  ( EI收录)  

Growth of Large ZnGeP2 Single Crystals and Fabrication ofLarge ZnGeP2 Crystal Devices

  

文献类型:期刊文章

作  者:袁泽锐[1,2] 窦云巍[1,2] 陈莹[1,2] 方攀[1,2] 尹文龙[1,2,3] 康彬[1,2,3]

YUAN Zerui;DOU Yunwei;CHEN Ying;FANG Pan;YIN Wenlong;KANG Bin(Institute of Chemical Materials,China Academy of Engineering Physics,Mianyang 621999,China;Sichuan Research Center of New Materials,Chengdu 610200,China;Key Laboratory of Science and Technology on High Energy Laser,China Academy of Engineering Physics,Mianyang 621999,China)

机构地区:[1]中国工程物理研究院化工材料研究所,绵阳621999 [2]四川省新材料研究中心,成都610200 [3]中国工程物理研究院高能激光科学与技术重点实验室,绵阳621999

出  处:《人工晶体学报》

基  金:中国工程物理研究院院长基金(YZJJLX2019005)。

年  份:2020

卷  号:49

期  号:8

起止页码:1491-1493

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX2017、CAS、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:磷锗锌(ZnGeP2,ZGP)晶体是一种性能十分优异的中红外非线性光学材料。本研究采用自制的双温区管式炉成功合成出高纯ZGP多晶,单次合成量达到600 g;采用超微梯度水平冷凝法(0.5~1℃/cm)成功生长出55 mm×30 mm×160 mm的大尺寸ZGP单晶;通过工艺优化、定向、切割、退火、抛光和高能束流辐照等处理工艺,成功实现大口径(12 mm×12 mm×50 mm)ZGP晶体器件制备,器件在2.09μm的吸收系数仅为0.03 cm^-1,可以用于大能量和高平均功率红外激光输出。

关 键 词:中红外非线性光学晶体  ZnGeP2单晶  水平梯度冷凝法  晶体生长

分 类 号:O782.9]

参考文献:

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同被引文献:

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