文献类型：期刊文章

作　　者：姚秋原[1] 谢泉[1] 周卢玉[1] 余宏[1] 侯亮亮[1]

YAO Qiu-Yuan;XIE Quan;ZHOU Lu-Yu;YU Hong;HOU Liang-Liang(College of Big Data and information Engineering,Guizhou University,Guiyang 550025,China)

机构地区：[1]贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所,贵阳550025

出　　处：《原子与分子物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(61264004)、贵州省高层次创新型人才培养项目(黔科合人才(2015)4015)。

年　　份：2020

卷　　号：37

期　　号：4

起止页码：618-624

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2017、CAS、IC、JST、核心刊

摘　　要：应用密度泛函理论框架下的第一性原理超软赝势平面波方法系统地计算了不同Al掺杂浓度下Mg 2 Ge的电子结构及光学性质.建立了四种Mg 2-x Al x Ge(x=0,0.125,0.25,0.5)的掺杂模型,计算结果表示Al掺杂后的Mg 2 Ge,费米能级进入导带,呈现出n型导电特性,掺杂后本征Mg 2 Ge费米能级附近的导带架构发生了改变,变为主要由Al的3p态电子、Ge的4s态电子和Mg的3s、3p态电子组成;静介电常数ε1(0)和折射率n 0均增大;吸收光谱发生红移,吸收系数最大值略微减小;光电导率峰值在x=0.125时取得极大值;能量损失函数发生蓝移且x=0.125时蓝移现象最为明显.

关 键 词：Mg 2 Ge  第一性原理 电子结构 光电性质 AL掺杂

分 类 号：O474]