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期刊文章详细信息

MEMS铂薄膜温度传感器的电阻温度系数研究    

Research on Temperature Coefficient of Resistance of MEMS-Based Pt Thin Film Temperature Sensor

  

文献类型:期刊文章

作  者:侯晓伟[1] 刘莉娜[2] 吕阳[1] 郑良广[1] 张丛春[3]

HOU Xiaowei;LIU Lina;LÜYang;ZHENG Liangguang;ZHANG Congchun(CRRC Transducer Measurement Technology R&D Center,Ningbo CRRC Times Transducer Technology CO.,LTD.,Ningbo 315021,China;Hunan Automotive Engineering Vocational College,Zhuzhou 412001,China;National Key Laboratory of Micro/Nano Fabrication Technology,Research Institute of Micro/Nano Science and Technology,Key Laboratory for Thin Film and Microfabrication Technology of the Ministry of Education,Shanghai Jiaotong University,Shanghai 200240,China)

机构地区:[1]宁波中车时代传感技术有限公司,中国中车传感测量技术研发中心,浙江宁波315021 [2]湖南汽车工程职业学院车辆工程学院,湖南株洲412000 [3]上海交通大学微纳科学技术研究院薄膜与微细加工技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家重点实验室,上海200240

出  处:《传感技术学报》

基  金:国家重点研发计划项目(2016YFB1200401);宁波市工业重大科技专项攻关项目(2017B10017)。

年  份:2020

卷  号:33

期  号:6

起止页码:825-829

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX2017、CAS、CSCD、CSCD2019_2020、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:采用MEMS工艺在硅衬底上制备了铂电阻薄膜温度传感器,在500℃、600℃、700℃和800℃四个温度点下对铂电阻样品进行了热处理,对样品在退火前后的电阻值进行了测试和对比分析。对800℃的退火样品的阻温特性进行了多次测量,其在零摄氏度的电阻温度系数可达3150×10^-6/K。另外还对退火后的铂电阻样品阻温特性进行了多次升温降温测试,其升温曲线和降温曲线基本重合,表明退火处理可以明显的改善铂薄膜温度传感器的稳定性和重复性。

关 键 词:铂电阻 温度传感器 微机电系统 热处理  电阻温度系数

分 类 号:TP212.11]

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同被引文献:

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