文献类型：期刊文章

作　　者：付丹扬[1] 龚建超[2] 雷丹[2] 黄嘉丽[2] 王琦琨[2] 吴亮[1]

U Danyang;GONG Jianchao;LEI Dan;HUANG Jiali;WANG Qikun;WU Liang(Shanghai Key Laboratory of Advanced Ferrous metallurgy,State Key Laboratory of Advanced Special Steel,School of Materials Science and Engineering,Shanghai University,Shanghai 200444,China;Ultratrend Technologies Inc.,Hangzhou 311106,China)

机构地区：[1]上海大学材料科学与工程学院,省部共建高品质特殊钢冶金与制备国家重点实验室,上海市钢铁冶金新技术开发应用重点实验室,上海200444 [2]奧趋光电技术(杭州)有限公司,杭州311106

出　　处：《人工晶体学报》

年　　份：2020

卷　　号：49

期　　号：7

起止页码：1141-1156

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2017、CAS、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：氮化铝(AlN)具有超宽禁带宽度(6.2 eV)、高热导率(340 W/(m·℃))、高击穿场强(11.7 MV/cm)、良好的紫外透过率、高化学和热稳定性等优异性能,是氮化镓基(GaN)高温、高频、高功率电子器件以及高Al组分深紫外光电器件的理想衬底材料。物理气相传输(PVT)法是制备大尺寸高质量AlN单晶最有前途的方法。本文介绍了AlN单晶的晶体结构、基本性质及PVT法生长AlN晶体的原理与生长习性。基于AlN单晶PVT生长策略,综述了自发形核工艺、同质外延工艺及异质外延工艺的研究历程,各生长策略的优缺点及其最新进展。最后对PVT法生长AlN单晶的发展趋势及其面临的挑战进行了简要展望。

关 键 词：AlN单晶  PVT 自发形核生长  同质外延生长  异质外延生长

分 类 号：O78]