文献类型：期刊文章

作　　者：张芳[1] 贾利群[1] 孙现亭[1] 戴宪起[2] 黄奇祥[3] 李伟[3]

Zhang Fang;Jia Li-Qun;Sun Xian-Ting;Dai Xian-Qi;Huang Qi-Xiang;Li Wei(College of Electric and Mechanical Engineering,Pingdingshan University,Pingdingshan 467000,China;College of Physics,Henan Normal University,Xinxiang 453007,China;School of Mathematics and Physics,Henan University of Urban Construction,Pingdingshan 467036,China)

机构地区：[1]平顶山学院电气与机械工程学院,平顶山467000 [2]河南师范大学物理学院,新乡453007 [3]河南城建学院数理学院,平顶山467036

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:61674053,U1704136);河南省重点研发与推广专项(批准号:182102210222)资助的课题.

年　　份：2020

卷　　号：69

期　　号：15

起止页码：229-236

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2017、CAS、CSCD、CSCD2019_2020、EI、IC、JST、RCCSE、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：半导体与金属接触是制作纳电子和光电子器件时非常重要的问题,接触类型对器件的功能实现和性能影响很大.为了制备高性能多功能化器件,就必须对界面处的势垒高度和接触类型进行调控.采用基于密度泛函理论的第一性原理计算研究了外电场作用下graphene/InSe范德瓦耳斯异质结的电子结构.计算结果表明异质结中的graphene和InSe保留了各自的本征电子性质,在界面处形成了欧姆接触.外电场可以有效调控graphene/InSe异质结中的肖特基势垒,不但可以调控肖特基势垒的高度,而且可以调控界面接触类型.外电场还可以有效调控graphene和InSe界面电荷转移的数量和方向.

关 键 词：肖特基势垒 电场 graphene/InSe  范德瓦耳斯异质结  

分 类 号：O469]