文献类型：期刊文章

作　　者：李金友[1] 王海龙[1] 杨锦[1] 曹春芳[2,3] 赵旭熠[2,3] 于文富[2,3] 龚谦[2,3]

LI Jin-you;WANG Hai-long;YANG Jin;CAO Chun-fang;ZHAO Xu-yi;YU Wen-fu;GONG Qian(Shandong Provincial Key Laboratory of Laser Polarization and Information Technology, School of Physics and Physical Engineering, Qufu Normal University, Qufu 273165, China;State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, University of Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China;Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China)

机构地区：[1]曲阜师范大学物理工程学院,山东省激光偏光与信息技术重点实验室,山东曲阜273165 [2]中国科学院大学信息功能材料国家重点实验室,上海200050 [3]中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海200050

出　　处：《发光学报》

基　　金：国家自然科学基金(61674096);山东省自然科学基金(ZR2019PA010)资助项目。

年　　份：2020

卷　　号：41

期　　号：8

起止页码：971-976

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2017、CAS、CSCD、CSCD2019_2020、EI、IC、JST、PROQUEST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：研究了InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器在不同温度下的电流-电压特性,并建立了一个理论模型进行描述。实验所用激光器腔长为0.3 mm,脊条宽度为3μm。实验测量得到该激光器在15~100 K的电压温度系数(d V/d T)为7.87~8.32 mV/K,在100~300 K的电压温度系数为2.93~3.17 mV/K。由理论模型计算得到该激光器在15~100 K的电压温度系数为2.56~2.75 mV/K,在100~300 K的电压温度系数为3.91~4.15 mV/K。在100~300 K,实验测量与理论模型计算得出的电压温度系数接近,理论模型能较好地模拟激光器的温度电压特性;但在15~100 K相差较大,还需要进一步完善。

关 键 词：量子阱激光器 InGaAs/GaAs/InGaP  低温  温度电压特性  

分 类 号：TN248.4] TN365