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期刊文章详细信息

用于北斗接收机的低噪声放大器芯片设计    

A design of MMIC LNA for the beidou receiver

  

文献类型:期刊文章

作  者:李海鸥[1] 卓锦[1] 李陈成[1] 李跃[1] 孙堂友[1] 张法碧[1] 刘英博[1] 李玺[1] 高喜[1] 张小文[1] 李琦[1] 傅涛[1] 肖功利[1] 陈永和[1] 岳克强[2] 孙玲玲[2]

LI Haiou;ZHUO Jin;LI Chencheng;LI Yue;SUN Tangyou;ZHANG Fabi;LIU Yingbo;LI Xi;GAO Xi;ZHANG Xiaowen;LI Qi;FU Tao;XIAO Gongli;CHEN Yonghe;YUE Keqiang;SUN Lingling(Guangxi Key Laboratory of Precison Navigation Technology and Application,Guilin University of Electronic Technology,Guilin 541004,China;Key Laboratory for RF Circuits and Systems,Ministry of Education,Hangzhou Dianzi University,Hangzhou 310037,China)

机构地区:[1]桂林电子科技大学精密导航技术与应用广西重点实验室,广西桂林541004 [2]杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室,杭州310037

出  处:《桂林电子科技大学学报》

基  金:国家自然科学基金(61764001,61474031,61874036,61805053);广西自然科学基金(2016GXNSFDA380021);精密导航技术与应用广西重点实验室基金(DH201801,DH201808,DH201702,DH201701);广西教育厅科研项目(2018KY0193);广西创新研究团队项目(2018JJF170001);桂林电子科技大学研究生教育创新计划(2018YJCXB15,2018YJCX25,2019YCXS029);桂林电子科技大学研究生培优项目(16YJPYSS09);杭州电子科技大学开放课题(开放基金)。

年  份:2020

卷  号:40

期  号:1

起止页码:22-26

语  种:中文

收录情况:IC、PROQUEST、普通刊

摘  要:为了满足北斗接收机系统集成化,采用成都海威华芯公司0.25μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计了一款工作在北斗L1频段单片微波集成电路(MMIC)低噪声放大器(LNA)。该LNA采用源级串连电感和栅漏端并联负反馈的两级级联电路结构,实现了低噪声高增益匹配,工作频带为1.5~1.6 GHz,漏极电压3.3 V,工作电流为60 mA时,芯片测试结果显示功率增益大于21 dB,噪声系数小于2 dB,在工作频带内输入输出回波损耗优于10 dB,面积为1 mm×2 mm。仿真结果和测试结果有很好的一致性,可用于北斗接收机射频前端。

关 键 词:低噪声放大器 单片微波集成电路 砷化镓

分 类 号:TN43] TN722.3

参考文献:

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引证文献:

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同被引文献:

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