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文献类型:期刊文章
LI Haiou;ZHUO Jin;LI Chencheng;LI Yue;SUN Tangyou;ZHANG Fabi;LIU Yingbo;LI Xi;GAO Xi;ZHANG Xiaowen;LI Qi;FU Tao;XIAO Gongli;CHEN Yonghe;YUE Keqiang;SUN Lingling(Guangxi Key Laboratory of Precison Navigation Technology and Application,Guilin University of Electronic Technology,Guilin 541004,China;Key Laboratory for RF Circuits and Systems,Ministry of Education,Hangzhou Dianzi University,Hangzhou 310037,China)
机构地区:[1]桂林电子科技大学精密导航技术与应用广西重点实验室,广西桂林541004 [2]杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室,杭州310037
基 金:国家自然科学基金(61764001,61474031,61874036,61805053);广西自然科学基金(2016GXNSFDA380021);精密导航技术与应用广西重点实验室基金(DH201801,DH201808,DH201702,DH201701);广西教育厅科研项目(2018KY0193);广西创新研究团队项目(2018JJF170001);桂林电子科技大学研究生教育创新计划(2018YJCXB15,2018YJCX25,2019YCXS029);桂林电子科技大学研究生培优项目(16YJPYSS09);杭州电子科技大学开放课题(开放基金)。
年 份:2020
卷 号:40
期 号:1
起止页码:22-26
语 种:中文
收录情况:IC、PROQUEST、普通刊
摘 要:为了满足北斗接收机系统集成化,采用成都海威华芯公司0.25μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计了一款工作在北斗L1频段单片微波集成电路(MMIC)低噪声放大器(LNA)。该LNA采用源级串连电感和栅漏端并联负反馈的两级级联电路结构,实现了低噪声高增益匹配,工作频带为1.5~1.6 GHz,漏极电压3.3 V,工作电流为60 mA时,芯片测试结果显示功率增益大于21 dB,噪声系数小于2 dB,在工作频带内输入输出回波损耗优于10 dB,面积为1 mm×2 mm。仿真结果和测试结果有很好的一致性,可用于北斗接收机射频前端。
关 键 词:低噪声放大器 单片微波集成电路 砷化镓
分 类 号:TN43] TN722.3
参考文献:
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引证文献:
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同被引文献:
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