文献类型：期刊文章

作　　者：陈良惠[1] 杨国文[2,3] 刘育衔[2]

Chen Lianghui;Yang Guowen;Liu Yuxian(Nano-Optoelectronics Laboratory,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;State Key Laboratory of Transient Optics and Photonics,Xi′an Institute of Optics and Precision Mechanics,Chinese Academy of Sciences,Xi′an,Shaanxi 710119,China;Dogain Laser Technology(Suzhou)Co.,Ltd.,Suzhou,Jiangsu 215123,China)

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室,北京100083 [2]中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室,陕西西安710119 [3]度亘激光技术(苏州)有限公司,江苏苏州215123

出　　处：《中国激光》

年　　份：2020

卷　　号：47

期　　号：5

起止页码：5-23

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2017、CAS、CSCD、CSCD2019_2020、EI、IC、JST、PROQUEST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：半导体激光器从诞生至今半个世纪,在理论、实践和应用方面取得了巨大进展,占据了整体激光领域的大部分市场,广泛应用于通信网络、工业加工、医疗美容、激光传感、航空国防、安全防护,以及消费电子等领域。本文在回顾国际国内早期半导体激光器发展历程的基础上,重点针对高功率泵浦源领域的GaAs基8xx nm和9xx nm半导体激光器,三维感知领域的905 nm隧道结激光器和940 nm垂直腔面发射激光器,以及光谱分析和红外感测领域的GaSb基红外激光器和InP基量子级联激光器进行了简单总结。内容包括半导体激光器的主要应用场景、所追求的主要目标、近10年国内外发展的最新进展,以及今后可能的发展趋势与方向。

关 键 词：激光器 半导体激光器 边发射激光器  垂直腔面发射激光器 红外激光器

分 类 号：TN248.4]