文献类型：期刊文章

作　　者：刘时彪[1] 王光绪[1] 吴小明[1] 莫春兰[1] 张建立[1]

Liu Shibiao;Wang Guangxu;Wu Xiaoming;Mo Chunlan;Zhang Jiangli(National Institute of LED on Silicon Substrate,Nanchang University,Nanchang,Jiangxi 330096,China)

机构地区：[1]南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心,江西南昌330096

出　　处：《光学学报》

基　　金：国家自然科学基金(61604066、21405076,11604137,11674147,51602141);国家重点研发计划(2016YFB0400600.2016YFB0400601);中央引导地方基金(2018ZDD20003)。

年　　份：2020

卷　　号：40

期　　号：10

起止页码：146-152

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2017、CAS、CSCD、CSCD2019_2020、EI、IC、JST、PROQUEST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：对集成Ag基反射镜的垂直结构GaN基发光二极管(LED)薄膜芯片施加ESD(electro-static discharge)冲击,观察其静电失效的现象并对失效演变的过程进行研究。结果表明,LED芯片经过ESD冲击后,内部会随机出现ESD黑点。随着ESD电压逐渐增大,此ESD黑点逐渐演变成为静电孔。通过聚焦离子束刻蚀等手段,得出ESD黑点产生的原因,即静电击穿产生的瞬间高温将LED芯片中的p-GaN及Ag基反射镜熔化,从而使得Ag反射镜的反射率降低。在LED薄膜芯片静电失效的演变过程中,ESD黑点周围的GaN粗化面的六角锥结构出现形状变小、密度增大的现象,该现象与静电击穿发生的程度相关。因此,认为静电击穿过程中内部产生的瞬间高温对表面GaN材料的晶体质量产生较大影响。

关 键 词：光学器件 发光二极管  静电失效  ESD黑点  粗化面  Ag反射镜  

分 类 号：O436] TN312.8]