文献类型：期刊文章

作　　者：王超[1,2] 李宁[1] 戴宁[1] 石旺舟[3] 胡古今[3]

WANG Chao;LI Ning;DAI Ning;SHI Wang-Zhou;HU Gu-Jin(State Key Laboratory of Infrared Physics,Shanghai Institute of Technical Physics,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200083,China;University of Chinese Academy of Sciences,Beijing 100049,China;Department of Physics,College of Mathematics and Science,Shanghai Normal University,Shanghai 200234,China)

机构地区：[1]中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083 [2]中国科学院大学,北京100049 [3]上海师范大学数理学院物理系,上海200234

出　　处：《红外与毫米波学报》

基　　金：国家自然科学基金(11933006,61805060,61290304,10904158,10990103);国家重点基础研究发展计划项目(2013CB632802,2011CB922004)。

年　　份：2020

卷　　号：39

期　　号：3

起止页码：290-294

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2017、CAS、CSCD、CSCD2019_2020、DOAJ、EI、IC、JST、PROQUEST、RCCSE、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：研究了基于离子注入技术制备硅掺砷阻挡杂质带探测器的工艺,通过优化工艺条件和相关器件的结构与材料参数,制造了具有良好光电响应性能的长波红外探测器。在温度5 K,-3.8 V工作偏压下,探测器的峰值响应波长为23.8μm,黑体响应率为3.7 A/W,3.2 V时最大探测率为5.2×10^13 cm·Hz^1/2/W。性能指标堪与文献报道的结果相媲美甚至更好,展示了离子注入工艺在制作阻挡杂质带探测器方面的潜在优势,特别是离子注入工艺与目前的微电子电路技术相兼容,能将探测器与读出电路集成到一块芯片上,在降低成本的同时提高探测器成像性能。

关 键 词：阻挡杂质带  长波红外探测器 硅掺砷  离子注入工艺

分 类 号：TN36]