文献类型：期刊文章

作　　者：谭仕林[1] 尹顺达[1] 欧阳钢[1]

TAN Shilin;YIN Shunda;OUYANG Gang(Key Laboratory of Low-Dimensional Quantum Structures and Quantum Control of Ministry of Education,Hunan Normal University,Changsha 410081,China)

机构地区：[1]湖南师范大学物理与电子科学学院,低维量子结构与调控教育部重点实验室,长沙410081

出　　处：《无机材料学报》

基　　金：国家自然科学基金(11574080,91833302)

年　　份：2020

卷　　号：35

期　　号：6

起止页码：682-688

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2017、CAS、CSCD、CSCD2019_2020、EI、IC、JST、PROQUEST、RCCSE、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：为探索界面工程对二维材料范德华异质结构中载流子复合率的影响,本工作基于界面键弛豫理论和费米黄金定则,建立了范德华异质结俄歇和层间复合率与各结构组元尺寸之间的理论模型。结果表明,MoS2/WSe2异质结的俄歇复合寿命随着组元尺寸的增大而增加,且异质结的俄歇复合率远小于相应的单组元体系。在MoS2/WSe2双层异质结中引入薄h-BN插层后,体系的层间复合率和俄歇复合率随h-BN厚度的增加而分别呈现减小和增大的趋势;在组元处于单层MoS2和WSe2情况下,当界面插层h-BN厚度达到9.1 nm时,俄歇复合率将趋于5.3 ns^-1。该研究结果为二维过渡金属硫族化合物基异质结光电器件的优化设计提供了一种理论依据。

关 键 词：MOS2 WSe2  异质结 插层绝缘体  层间复合  俄歇复合  

分 类 号：O484]