文献类型：期刊文章

作　　者：肖香珍[1] 蔡颖莹[2] 张建伟[1]

XIAO Xiang-Zhen;CAI Ying-Ying;ZHANG Jiang-Wei(1 Experimental Management Center, Henan Institute of Science and Technology,Xinxiang 453003,China;2 College of Materials Science and Engineering, Henan Institute of Technology,Xinxiang 453003,China)

机构地区：[1]河南科技学院实验管理中心,新乡453003 [2]河南工学院材料科学与工程学院,新乡453003

出　　处：《原子与分子物理学报》

年　　份：2020

卷　　号：37

期　　号：3

起止页码：317-322

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2017、CAS、JST、核心刊

摘　　要：利用密度泛函理论,在slab模型下,研究N2在单原子催化剂Ir1/MoS2上的吸附行为,结果表明,N2的优势吸附位为Ir原子的顶位,构型为垂直向下,吸附能达到1.57 eV,是化学吸附.电子结构说明主要是吸附N原子的2Pz轨道在Z方向上与Ir的5dz2、5dxz、5dyz、6Pz混合得以使N2稳定吸附在Ir原子上.

关 键 词：密度泛函理论 N2吸附  单原子催化剂Ir1/MoS2  

分 类 号：O641]