文献类型：期刊文章

作　　者：方攀[1,2] 袁泽锐[1,2] 陈莹[1,2] 尹文龙[1,3] 康彬[1,3]

FANG Pan;YUAN Zerui;CHEN Ying;YIN Wenlong;KANG Bin(Institute of Chemical Materials, China Academy of Engineering Physics, Mianyang 621999, China;Sichuan Research Center of New Materials, Chengdu 610200, China;Key Laboratory of Science and Technology on High Energy Laser, China Academy of Engineering Physics, Mianyang 621999, China)

机构地区：[1]中国工程物理研究院化工材料研究所,绵阳621999 [2]四川省新材料研究中心,成都610200 [3]中国工程物理研究院高能激光科学与技术重点实验室,绵阳621999

出　　处：《人工晶体学报》

基　　金：中国工程物理研究院化工材料研究所攻关项目。

年　　份：2020

卷　　号：49

期　　号：5

起止页码：771-773

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2017、CAS、EI、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：镝掺杂硫镓铅(Dy∶PbGa2S4,Dy∶PGS)晶体是一种性能优良、具有潜在应用价值的中红外激光介质材料。为推动该晶体的实用化研究,迫切需要制备出大尺寸高品质Dy∶PGS单晶。本研究采用自制的双温区管式炉成功合成Dy∶PbGa2S4多晶,单次合成量达到230 g;首次采用竖直梯度冷凝法制备该晶体并成功生长出大尺寸高质量Dy∶PbGa2S4单晶,尺寸达到Φ27 mm×100 mm;通过切割和抛光等处理工艺,成功加工出Dy∶PbGa2S4晶体器件,为下一步的激光应用研究打下了坚实基础。

关 键 词：中红外激光晶体  Dy∶PbGa2S4单晶  竖直梯度冷凝法  晶体生长

分 类 号：O782.9]