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基于文献计量的我国功率半导体器件研究状况分析
Analysis of research status of power semiconductor devices in China based on bibliometrics
文献类型:期刊文章
Zhang Qian(Beijing Institute of Electronic Science and Technology Information,Beijing 100009,China)
机构地区:[1]北京市电子科技情报研究所,北京100009
年 份:2020
卷 号:43
期 号:4
起止页码:29-33
语 种:中文
收录情况:JST、RCCSE、ZGKJHX、普通刊
摘 要:电力电子器件又称为功率半导体器件,是电力电子技术的核心。基于文献计量的方法对我国功率器件领域的理论创新情况进行可视化研究。以知网数据库2010~2019年间发表的科技论文作为数据源,借助Ucinet软件对我国功率器件在热点领域、研究机构、基金分布等方面进行分析。得知我国在该领域的发展状况主要为:1)研究重点大多集中在如何提高Si基IGBT和SiC基MOSFET的可靠性、工作效率等性能;2)应用领域多集中于电动汽车、电力电子器件、光伏逆变器、微波和开关电源;3)研究机构以科研院所和高校为主;4)基金项目主要以国家基金为主,诸多省市对于功率器件领域的基金项目尚是空白。分析结果旨在为政府部门及国家相关机构把控功率器件领域的知识创新情况和技术发展趋势提供参考。
关 键 词:文献计量 功率器件 研究状况 第三代半导体 电力电子器件
分 类 号:G350]
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