文献类型：期刊文章

作　　者：郭明[1,2] 张永祥[3] 张文颖[1,2] 李宏[1,2]

Guo Ming;Zhang Yongxiang;Zhang Wenying;Li Hong(Institute for Interdisciplinary Quantum Information Technology,Jilin Engineering Normal University,Changchun 130052,China;Jilin Engineering Laboratory for Quantum Information Technology,Changchun 130052,China;Business Branch,College of Optical and Electronical Information,Changchun University of Science and Technology,Changchun 130000,China)

机构地区：[1]吉林工程技术师范学院,量子信息技术交叉学科研究院,吉林长春130052 [2]吉林省量子信息技术工程实验室,吉林长春130052 [3]长春理工大学光电信息学院商学分院,吉林长春130000

出　　处：《红外与激光工程》

基　　金：国家自然科学基金青年科学基金(61905089);吉林省教育厅“十三五”科学研究规划项目(JJKH20190765KJ);吉林工程技术师范学院博士科研启动经费专项(BSKJ201824);吉林工程技术师范学院校级一般项目(XYB201819)。

年　　份：2020

卷　　号：49

期　　号：3

起止页码：266-274

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2017、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2019_2020、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：为探究毫秒脉冲激光辐照单晶硅的热损伤规律和机理,利用高精度点温仪和光谱反演系统对毫秒脉冲激光辐照单晶硅的温度进行测量。分析温度演化过程,研究毫秒脉冲激光对单晶硅热损伤全过程的温度状态和对应的损伤结构形态。研究表明:脉冲宽度固定时,激光诱导的单晶硅的峰值温度随能量密度的增加而增加;当脉冲宽度在1.5~3.0 ms之间时,温度随脉冲宽度的增加而降减小。温度上升曲线在熔点(1 687 K)附近时出现拐点,反射系数由0.33增加为0.72。在气化和凝固阶段,出现气化和固化平台期。单晶硅热致解理损伤先于热致熔蚀损伤,在低能量密度激光作用条件下,应力损伤占主导地位,而在大能量密度条件下,热损伤效应占主导地位。损伤深度与能量密度成正比,随脉冲个数增加迅速增加。

关 键 词：长脉冲 激光 单晶硅 热损伤 应力 熔蚀  

分 类 号：TJ01]