文献类型：期刊文章

作　　者：王春华[1] 蔺海荣[1] 孙晶如[1] 周玲[2] 周超[1] 邓全利[1]

WANG Chunhua;LIN Hairong;SUN Jingru;ZHOU Ling;ZHOU Chao;DENG Quanli(College of Computer Science and Electronic Engineering,Hunan University,Changsha 410082,China;School of Electronics and Information Engineering,Hunan University of Science and Engeneering,Yongzhou 425199,China)

机构地区：[1]湖南大学信息科学与工程学院,长沙410082 [2]湖南科技学院电子与信息工程学院,永州425199

出　　处：《电子与信息学报》

基　　金：国家自然科学基金重大研究计划项目(91964108);国家自然科学基金(61971185);湖南省高校重点实验室开放基金(18K010)。

年　　份：2020

卷　　号：42

期　　号：4

起止页码：795-810

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2017、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2019_2020、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：忆阻器是除电阻、电容、电感之外发现的第4种基本电子元件,它是一种具有记忆特性的非线性器件,可用于混沌、存储器、神经网络等电路与系统的实现。该文对基于忆阻器的混沌电路、存储器、神经网络电路的设计与神经动力学的国内外研究进行了综述,并给出了对它们的研究展望。

关 键 词：忆阻器  混沌电路 存储器 神经网络

分 类 号：TN601] TN710.2