文献类型：期刊文章

作　　者：梁志斌[1] 张齐轩[1] 许朝军[1] 周玉刚[1] 陆海[1] 张荣[1] 郑有炓[1]

LIANG Zhibin;ZHANG Qixuan;XU Chaojun;ZHOU Yugang;LU Hai;ZHANG Rong;ZHENG Youdou(School of Electronic Science and Engin.,Nanjing University,Nanjing 210023,CHN)

机构地区：[1]南京大学电子科学与工程学院江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京210023

出　　处：《半导体光电》

基　　金：国家重点研发计划项目(2016YFB0400904);国家自然科学基金重点项目(61634005).

年　　份：2020

卷　　号：41

期　　号：1

起止页码：64-67

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2017、CAS、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：常规的半导体紫外探测器波长响应范围宽,而紫外光的应用具有较强的波长选择性,如320nm波段的紫外光在医学方面有重要的应用,因此,具有高波长选择性的紫外探测器的研制有重要意义。文章采用GaN基p-i-n探测器结构,通过在p区覆盖银纳米薄膜作为欧姆接触层和波长选择透射层,成功制备了对320nm波段紫外光高选择性探测的紫外探测器,器件性能如下:70nm银层的紫外光透射率峰值超过30%,器件在-5V偏压下的暗电流为10-12 A量级,响应峰值为0.06A/W,响应峰发生在325nm处,光谱响应峰半高宽约30nm。

关 键 词：p-i-n紫外探测器  GAN 银纳米薄膜  波长选择性  

分 类 号：TN364.2]