文献类型：期刊文章

作　　者：吴小虎[1] 彭英姿[1] 郑奇烨[1] 李源[1]

WU Xiaohu;PENG Yingzi;ZHENG Qiye;LI Yuan(Department of Physics,school of Sciences,Hangzhou Dianzi University,HangZhou Zhejiang 310018,China)

机构地区：[1]杭州电子科技大学理学院物理系,浙江杭州310018

出　　处：《杭州电子科技大学学报（自然科学版）》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(11574067);浙江省自然科学基金资助项目(LY16F040003)。

年　　份：2020

卷　　号：40

期　　号：2

起止页码：74-79

语　　种：中文

收录情况：RCCSE、普通刊

摘　　要：使用化学气相沉积法在石墨烯/SiO2/Si基底上沉积二维MoS2薄膜制备MoS2/石墨烯异质结,探究该异质结在不同偏振态圆偏振光照射下的光电响应。研究MoS2/石墨烯异质结在不同角度圆偏振光照射下Ⅰ-Ⅴ特性曲线和开路电压的变化规律。结果表明:MoS2/石墨烯异质结电流随圆偏振光偏振角的变化周期为π,开路电压随圆偏振光偏振角的变化周期为π/2。实验揭示了在圆偏振光激发下,MoS2/石墨烯异质结的光电响应呈现出周期性变化。

关 键 词：MoS2/石墨烯异质结  原子层厚度MoS2薄膜  圆偏振光 Ⅰ-Ⅴ特性

分 类 号：O484]