文献类型：期刊文章

作　　者：石小雪[1] 李秀琪[1] 魏小平[1] 李建平[1]

ZHAO Yi;SHI Xiao-Yu;SUN Hong;YAO Fu-Jun;KANG Xiao-Feng(Key Laboratory of Synthetic and Natural Functional Molecular Chemistry,College of Chemistry and Materials Science,Northwest University,Xi'an 710069,China)

机构地区：[1]桂林理工大学化学与生物工程学院广西电磁化学功能物质重点实验室

出　　处：《分析化学》

基　　金：国家自然科学基金项目(No.21765006);广西自然科学基金项目(Nos.2015GXNSFFA139005,2018GXNSFAA138145);广西岩溶地区水污染控制与用水安全保障协同创新中心项目资助~~

年　　份：2020

卷　　号：48

期　　号：3

起止页码：396-404

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2017、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2019_2020、EI、JST、RCCSE、RSC、SCIE、SCOPUS、UPD、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：构建了一种基于AgBiS 2/Bi 2S 3的分子印迹光电化学传感器,用于杀虫剂残杀威的检测。采用溶剂热法,在钛片基底上合成AgBiS 2/Bi 2S 3复合材料。以残杀威为模板分子,邻苯二胺为功能单体,通过电聚合在修饰AgBiS 2/Bi 2S 3复合材料的钛片上电沉积形成分子印迹聚合物膜,可对残杀威产生特异性识别。残杀威与印迹孔穴特异性结合后,阻碍电子供体穿过孔穴到达电极表面,导致光电流降低,据此进行残杀威的检测。残杀威浓度的对数值与光电流在1.0×10^12~5.0×10^10 mol/L范围内呈线性关系,检出限为2.3×10^13 mol/L。将此传感器用于水果等实际样品中残杀威残留的检测,加标回收率介于101.0%~103.1%之间。

关 键 词：分子印迹 光电化学传感器  残杀威 AgBiS2/Bi2S3复合材料  农药残留

分 类 号：O657.1] TS255.7[化学类]