文献类型：期刊文章

作　　者：冉红雷[1,2] 彭浩[1,2] 黄杰[1,2] 盛晓杰[1,2]

RAN Honglei;PENG Hao;HUANG Jie;SHENG Xiaojie(National Semiconductor Devices Quality Supervision and Inspection Center,Shijiazhuang 050051,China;The Electronic Reliability Engineering Technology Co.,Ltd.,CETC,Beijing 100083,China)

机构地区：[1]国家半导体器件质量监督检验中心,河北石家庄050051 [2]中电科技集团电子可靠性工程技术有限公司,北京100083

出　　处：《电子产品可靠性与环境试验》

年　　份：2019

卷　　号：37

期　　号：6

起止页码：38-43

语　　种：中文

收录情况：普通刊

摘　　要：首先,对基于TSV技术的某微系统中的TSV转接板进行了研究,建立了普通TSV转接板的电磁模型并进行了仿真分析;其次,设计了改进的双金属屏蔽结构TSV转接板,通过仿真分析发现,双金属屏蔽结构TSV转接板的电学性能显著地提升;最后,以双金属屏蔽结构TSV转接板为基础,研究了TSV转接板传输性能的影响因素。结果表明,当f≤20 GHz时,金属屏蔽层的厚度对双金属屏蔽结构TSV转接板的传输性能影响较小,金属屏蔽层与硅衬底之间的绝缘层厚度对TSV转接板的传输性能影响较小;当10 GHz≤f≤20 GHz时,金属屏蔽层与RDL布线层之间的厚度与TSV转接板的传输损耗参数成反比。该研究对提高TSV结构的设计可靠性有参考作用。

关 键 词：硅通孔  串扰耦合  电磁仿真 传输特性

分 类 号：TN405] TP391.99]