文献类型：期刊文章

作　　者：孙嗣良[1] 黄勇[1] 马斌[2] 陈韧[3] 孙力[1]

Sun Siliang;Huang Yong;Ma Bin;Chen Ren;Sun Li(Flight Control Institute,College of Astronautics,Northwestern Polytechnical University,Xi′an 710072,China;Shanghai Institute of Technical Physics,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200083,China;Institute of Automatic Flight Control,China Aviation Industry Co.Ltd.,Xi′an 710065,China)

机构地区：[1]西北工业大学航天学院飞行控制研究所,陕西西安710072 [2]中国科学院上海技术物理研究所,上海200083 [3]航空工业集团公司西安飞行自动控制研究所,陕西西安710065

出　　处：《红外与激光工程》

基　　金：中国科学院上海技术物理研究所2017年开放课题(IIMDKFJJ-17-10)

年　　份：2019

卷　　号：48

期　　号：12

起止页码：273-282

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2017、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2019_2020、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：MOS电阻阵目前在红外仿真领域有着广泛的应用和重要的作用。作为红外半实物仿真链路中的核心器件,其成像效果直接关系到最终仿真结果的准确度和置信度。目前的红外仿真数字信号进入电阻阵后会产生一系列图像退化和耦合失真问题,因此需要从MOS电阻阵的成像机理出发,分析其成像原理及能量传递过程,针对单个像元建立符合其自身物理特性的过程及辐射模型。通过输入信号与输出信号的函数关系来量化和验证模型的准确度和置信度。这个模型作为MOS电阻阵的基础模型对未来研究更大规模电阻阵的耦合特性、反向模型及非均匀性校正均有重要的理论基础和实际工程应用价值和意义。

关 键 词：MOS电阻阵  单像素模型  红外仿真

分 类 号：TP391.9]