文献类型：期刊文章

作　　者：何安娜[1] 肖清泉[1] 秦铭哲[1] 谢泉[1]

HE An-na;XIAO Qing-quan;QIN Ming-zhe;XIE Quan(Institute of Advanced Optoelectronic Materials and Technology,College of Big Data and Information Engineering,Guizhou University,Guiyang 550025,China)

机构地区：[1]贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所

出　　处：《人工晶体学报》

基　　金：国家自然科学基金(61264004);贵州省留学回国人员科技活动择优资助项目([2018]09);贵州省高层次创新型人才培养项目([2015]4015)

年　　份：2019

卷　　号：48

期　　号：12

起止页码：2194-2200

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2017、CAS、EI、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,研究了未掺杂Mg2Si以及Na、Lu掺杂Mg2Si的电子结构和光学性质。计算结果表明:Na掺杂Mg2Si后,费米能级进入价带,呈p型导电;Lu掺杂Mg2Si后,费米能级进入导带,呈n型导电。未掺杂Mg2Si对于能量低于0.5 eV的光子几乎不吸收,但Na、Lu掺杂的Mg2Si对于能量低于0.5 eV的光子还存在较大的吸收,即Na、Lu掺杂改善了Mg2Si对红外光子的吸收。掺杂后,可见光区的吸收系数与反射率明显减小,这说明掺杂的Mg2Si在可见光区的透过率增大。计算结果为Mg2Si基光电器件的设计与应用提供了理论依据。

关 键 词：第一性原理  Mg 2Si  掺杂 电子结构 光学性质

分 类 号：O481.1] O472.3[物理学类]