文献类型：期刊文章

作　　者：刘凯宝[1,2] 杨晓红[1,2] 何婷婷[1,2] 王晖[1,2]

Liu Kaibao;Yang Xiaohong;He Tingting;Wang Hui(State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100086,China;Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering,University of Chinese Academy of Sciences,Beijing 100049,China)

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京100086 [2]中国科学院大学材料科学与光电技术学院,北京100049

出　　处：《激光与光电子学进展》

基　　金：国家重点研发计划（2016YFB0402404）;国家自然科学基金（61774152）

年　　份：2019

卷　　号：56

期　　号：22

起止页码：1-12

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2017、CSCD、CSCD2019_2020、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：单光子雪崩光电探测器(SPAD)具有雪崩增益大、响应速度快、探测效率高、易于集成的特点。SPAD阵列器件可进行弱光三维成像,在生物化学、量子通信、激光雷达等领域具有重要应用。因此开展SPAD器件及阵列探测技术的研究具有非常重要的意义。给出了近红外InGaAs/InP SPAD单元工作原理和阵列结构性能,对暗计数率、探测效率、后脉冲等主要影响因素和器件优化方向进行总结,概述了近年来SPAD阵列器件的主要技术方案,给出了串扰来源和消除方法,并对相关研究单位的技术与结果进行对比。

关 键 词：探测器 雪崩光电二极管 阵列  红外波段 三维成像

分 类 号：TN36]