文献类型：期刊文章

作　　者：万金梅[1,2,3] 刘飞[1,2] 曾子玉[3] 霍宗亮[1,2,3]

WAN Jinmei;LIU Fei;ZENG Ziyu;HUO Zongliang(University of Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,University of Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Yangtze Memory Technologies Co.,Ltd.,Wuhan 430078,China)

机构地区：[1]中国科学院大学,北京100029 [2]中国科学院大学微电子研究所,北京100029 [3]长江存储科技有限责任公司,湖北武汉430078

出　　处：《现代电子技术》

基　　金：国家自然科学基金（61474137）;国家重点研发计划(2018YFB1107700)~~

年　　份：2019

卷　　号：42

期　　号：24

起止页码：42-45

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2017、IC、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：文中设计一种应用于3D NAND的无片外补偿电容的LDO,该电路在传统嵌套米勒补偿的基础上,增加"gm减小电路"和"轻重载控制电路",实现在空载(电流负载为零)且有大负载电容条件下的稳定。此设计应用YMTC 0.18μm工艺实现,仿真结果显示,在2.5~3.6 V电源供电下,整个电路消耗的静态电流为50μA,总补偿电容为7 pF,电路稳定的时间小于6μs,输出线性调整率小于2.2 mV/V,负载调整率小于0.9 mV/mA。

关 键 词：LDO 米勒补偿  3D  NAND 电路设计 仿真实验  稳定性分析

分 类 号：TN911-34] TP301.6]