文献类型：期刊文章

作　　者：郭杰[1]

Guo Jie(Computer AcademyOf Xi’An Aeronautical University,Xi’An 710077,China)

机构地区：[1]西安航空学院计算机学院

出　　处：《电子测量技术》

基　　金：国家自然基金(61871313);西安航空学院校级科研基金(2016KY1211)项目资助

年　　份：2019

卷　　号：42

期　　号：18

起止页码：118-122

语　　种：中文

收录情况：JST、RCCSE、ZGKJHX、普通刊

摘　　要：为提升Flash存储器中的数据质量水平,达到SOC芯片对大容量数据高速率、可靠性的存储需求,首先介绍了嵌入式Flash高速存储器的应用性能及基本构成,并透过FLASH存储器中数据坏块和位交换故障对数据存储质量的影响性,引入基于阈值控制的损耗均衡算法,将损耗均分至不同的物理块上,控制坏块发生率;同时,融合ECC校验算法对发生位交换故障的数据进行修正。研究发现,损耗均衡算法通过将各数据块的擦除次数达到近似均衡,延长了Flash存储器的使用寿命,而ECC通过写校验码和读校验码的异或运算,便可实现对错误数据的纠正,两种算法的流程简单、可操作性强,可对Flash存储器数据质量进行有效控制。

关 键 词：FLASH存储器 数据质量控制 损耗均衡算法  ECC校验算法  

分 类 号：TP274]