文献类型：期刊文章

作　　者：雷丹[1] 王琦琨[1] 黄嘉丽[1] 贺广东[1] 龚建超[1] 付丹扬[1] 吴亮[1]

LEI Dan;WANG Qikun;HUANG Jiali;HE Guangdong;GONG Jianchao;FU Danyang;WU Liang(State Key Lab.of Advanced Special Steel&Shanghai Key Lab.of Advanced Ferrometallurgy,School of Materials Science and Engin.,Shanghai University,Shanghai 200072,CHN)

机构地区：[1]上海大学材料科学与工程学院省部共建高品质特殊钢冶金与制备国家重点实验室上海市钢铁冶金新技术开发应用重点实验室

出　　处：《半导体光电》

基　　金：国家自然科学基金项目(U1560202,51401116);上海市科委基金项目(13DZ1108200,13521101102)

年　　份：2019

卷　　号：40

期　　号：5

起止页码：665-670

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2017、CAS、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：使用FEMAG晶体生长模拟仿真软件以及自主开发的PVT法有限元传质模块对全自动、双电阻加热物理气相沉积炉开展了AlN晶体生长工艺过程中不同坩埚埚位对温度场、过饱和度场及烧结体升华速率等影响的模拟仿真分析研究。模拟仿真结果表明:在给定工艺条件下,坩埚埚位较低时烧结体温度较高且内部温差较小,烧结体升华表面存在较大的Al蒸气分压梯度,各表面升华速率较快且均匀,籽晶衬底生长前沿温度场呈微凸分布,有利于晶体扩径及生长高质量晶体。随着坩埚埚位的上升,低温区向坩埚壁扩展,预烧结体内轴向及径向温度梯度增加,籽晶衬底附近径向温度梯度逐步降低,过饱和度区域扩大且增强。在坩埚埚位较高情况下,坩埚内原料升华变得不均匀,坩埚侧壁存在高过饱和区域,极易在坩埚壁上发生大量的AlN多晶沉积。模拟分析结果与大量实际晶体生长实验后的坩埚壁处沉积现象及剩余烧结体原料形态相符,较好地验证了模拟仿真分析结果的准确性。

关 键 词：ALN 物理气相传输法  模拟仿真 坩埚埚位  物质传输  

分 类 号：TN304]