文献类型：期刊文章

作　　者：王春冬[1] 李正华[1] 应晓芳[1]

WANG Chun-dong;LI Zheng-hua;YING Xiao-fang(Semiconductor Manufacturing International(Shanghai)Corp.,Shanghai 201203,China)

机构地区：[1]中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

出　　处：《工业用水与废水》

年　　份：2019

卷　　号：50

期　　号：5

起止页码：75-77

语　　种：中文

收录情况：AJ、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、JST、PROQUEST、ZGKJHX、普通刊

摘　　要：半导体制造过程中产生的晶背研磨废水具有有机物浓度低,悬浮物含量高的特点,针对某半导体厂的晶背研磨废水和反洗废水,设计采用UF-RO工艺处理。工程应用表明:在晶背研磨废水TOC质量浓度为0.5~5.0 mg/L,浊度为80~100 NTU,SiO2质量浓度为2~4 mg/L,反洗废水TOC质量浓度为1.5~3.0 mg/L,浊度为4~8 NTU时,处理出水TOC质量浓度低于1 mg/L,浊度低于0.1 mg/L,SiO2质量浓度低于1 mg/L,完全可以回用至超纯水预处理系统。

关 键 词：半导体废水  晶背研磨废水  超滤 反渗透

分 类 号：X703.1]