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期刊文章详细信息

物理气相传输法生长1英寸AlN单晶及其表征分析  ( EI收录)  

Characterization of 1 inch AlN Single Crystal Wafers Grown by PVT Method

  

文献类型:期刊文章

作  者:贺广东[1] 王琦琨[1] 雷丹[1] 龚建超[1] 黄嘉丽[1] 付丹扬[1] 吴亮[1]

HE Guang-dong;WANG Qi-kun;LEI Dan;GONG Jian-chao;HUANG Jia-li;FU Dan-yang;WU Liang(Shanghai Key Lab.of Advanced Ferrometallurgy,State Key Lab.of Advanced Special Steel,School of Materials Science and Engineering,Shanghai University,Shanghai 200044,China)

机构地区:[1]上海大学材料科学与工程学院省部共建高品质特殊钢冶金与制备国家重点实验室上海市钢铁冶金新技术开发应用重点实验室

出  处:《人工晶体学报》

基  金:国家自然科学基金(U1560202,51401116);上海市科委基金(13DZ1108200,13521101102)

年  份:2019

卷  号:48

期  号:9

起止页码:1604-1607

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX2017、CAS、EI、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:本文采用物理气相传输法(PVT)及同质外延工艺,在自发生长的6 mm×7 mm AlN籽晶片上,通过4次迭代,成功生长出高质量1英寸AlN单晶锭。将生长出的单晶锭经过切片、研磨和抛光工艺加工成1英寸低表面粗糙度的单晶片,并采用拉曼光谱仪、扫描电子显微镜、高分辨率X射线衍射仪、分光光度计对籽晶片与外延晶片进行结晶质量、位错密度以及紫外透光率等性能表征。结果表明:外延晶片的拉曼E2(high)半高宽为2.86 cm^-1,(002)面XRD摇摆曲线半高宽为241 arcsec,说明晶片具有很高的结晶质量;经过同质外延4次迭代后的晶片较初始籽晶片相比质量有所下降,说明生长过程中由于非平衡生长存在缺陷的增殖;外延晶片具有极其优异的紫外透光率,深紫外265~280 nm波段下的吸收系数低至19~21.5 cm^-1。

关 键 词:氮化铝 物理气相传输  同质外延  紫外透光率

分 类 号:TN304]

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