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期刊文章详细信息

传导冷却高功率半导体激光器单巴器件CW工作模式下的热加速寿命试验  ( EI收录)  

Thermally Accelerated Aging Test of Conduction-cooled-packaged High Power Diode Laser Bar in CW Mode

  

文献类型:期刊文章

作  者:聂志强[1] 王明培[2] 孙玉博[2] 李小宁[3] 吴迪[3]

NIE Zhi-qiang;WANG Ming-pei;SUN Yu-bo;LI Xiao-ning;WU Di(State Key Laboratory of Transient Optics and Photonics,Xi an Institute of Optics and Precision Mechanics,Chinese Academy of Sciences,Xi’an 710119,China;University of Chinese Academy of Sciences,Beijing 100049,China;Focuslight Technologies Inc.,Xi an 710077,China)

机构地区:[1]中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术重点实验室,陕西西安710119 [2]中国科学院大学,北京100049 [3]西安炬光科技股份有限公司,陕西西安710077

出  处:《发光学报》

基  金:国家自然科学基金(61334010)资助项目~~

年  份:2019

卷  号:40

期  号:9

起止页码:1136-1145

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX2017、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2019_2020、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:可靠性是高功率半导体激光器(HLD)的一个重要性能。热加速寿命试验是HLD寿命评价和可靠性分析的重要技术。在本文中,我们在高温测试平台上对铟焊料封装的18个中心波长为808 nm的传导冷却型HLD单巴器件在恒定电流60 A条件下进行55,65,80℃3组热沉温度下的热加速寿命试验。根据器件输出功率在加速寿命测试期间的降低趋势,得到该批HLD器件的寿命分别为1 022,620,298 h,再根据Arrhenius公式得到该器件的激活能为0.565 41 eV,从而外推得到器件在室温下的寿命为5 762 h。可见55℃下器件寿命加速了5倍,而在65℃下寿命加速了8.5倍,80℃下寿命加速17倍。此外,我们还分析了器件热加速寿命试验后的性能。

关 键 词:高功率半导体激光器 热加速寿命测试  可靠性 退化  

分 类 号:TN248.4]

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同被引文献:

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