文献类型：期刊文章

作　　者：胡耀文[1] 高江东[1] 全知觉[1] 张建立[1] 潘拴[1] 刘军林[1] 江风益[1]

HU Yao-wen;GAO Jiang-dong;QUAN Zhi-jue;ZHANG Jan-li;PAN Shuan;LIU Jun-lin;JIANG Feng-yi(National Institute of LED on Silicon Substrate,Nanchang University,Nanchang 330096,China)

机构地区：[1]南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心

出　　处：《发光学报》

基　　金：国家重点研发计划项目(2016YFB0400600,2016YFB0400601);国家自然科学基金(11674147);江西省重点研发计划(20171BBE50052)资助项目~~

年　　份：2019

卷　　号：40

期　　号：9

起止页码：1102-1107

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2017、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2019_2020、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：为了探究具有双层电子阻挡层设计的GaN基黄光LED中首层电子阻挡层(EBL-1)Al组分对内量子效率的影响以及其中载流子注入的主要物理机制,首先使用硅衬底GaN基黄光LED外延与芯片工艺,在外延过程中通过控制三甲基铝(TMAl)流量,分别获得EBL-1含有Al组分约20%、50%、80%的硅衬底GaN基黄光LED;随后使用半导体仿真软件Silvaco Atlas对这3种样品的实际测试内量子效率曲线进行拟合。结果表明,EBL-1中Al组分对内量子效率的影响主要体现在两方面:一是EBL-1的Al组分越高越有利于空穴从V形坑侧壁注入到多量子阱有源区;二是EBL-1中过高的Al组分会降低p型GaN晶体质量,导致空穴浓度下降;综合表现为Al组分约50%的EBL-1在这种双层电子阻挡层的设计下最有利于提高硅衬底GaN基黄光LED的内量子效率。

关 键 词：GAN 黄光LED  电子阻挡层 半导体仿真  

分 类 号：TP394.1] TH691.9[计算机类]