文献类型：期刊文章

作　　者：余波[1] 梁锐[1] 蒲亦非[2] 杨果仁[1] 胡彧[1]

Yu Bo;Liang Rui;Pu Yifei;Yang Guoren;Hu Yu(School of Physics and Engineering,Chengdu Normal University,Chengdu 611130 China;School of Computer Science,Sichuan University,Chengdu 610065 China)

机构地区：[1]成都师范学院物理与工程技术学院,成都611130 [2]四川大学计算机学院,成都610065

出　　处：《电工技术学报》

基　　金：成都师范学院科研资助项目（CS17ZB04）

年　　份：2019

卷　　号：34

期　　号：17

起止页码：3533-3541

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2017、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2019_2020、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：随着超级电容器作为新的储能装置得到广泛的应用,建立超级电容器的精确等效模型具有重要意义。根据分数阶微积分定义,结合分抗元的恒流充电曲线和超级电容器实际物理结构,直接在时域建立超级电容器恒流充电的分数阶RF串联电路模型和分数阶RFR混联电路模型,并给出模型参数辨识与拟合误差分析方法。在结合超级电容器恒流充电数据完成分数阶RF串联电路模型和分数阶RFR混联电路模型的参数辨识与误差分析的过程中,发现分数阶RF串联电路模型和分数阶RFR混联电路模型的拟合精度均远优于一阶RC电路模型和经典等效电路模型,且这两种分数阶模型的精度相当。分析更简洁的分数阶RF串联电路模型的参数敏感性,得到模型中分抗元运算阶、分抗元特征值和电阻值对超级电容器恒流充电的影响规律。该文同时还说明经典等效电路模型是分数阶RFR混联电路模型的特殊情况,一阶RC电路模型是分数阶RF串联电路模型的特殊情况,分数阶RF串联电路模型是分数阶RFR混联电路模型的特殊情况。

关 键 词：超级电容器 分数阶微积分 等效电路模型 分抗逼近电路  

分 类 号：TM532.3]