文献类型：期刊文章

作　　者：张国艳[1] 廖怀林[1] 黄如[1] Mansun chan[2] 张兴[1] 王阳元[1]

机构地区：[1]北京大学微电子所,北京100871 [2]香港科技大学电子工程系

出　　处：《电子学报》

基　　金：国家重点基础研究专项基金 (No G2 0 0 0 3650 1 ) ;国家自然科学基金 (No 6991 0 1 61 992 )

年　　份：2002

卷　　号：30

期　　号：11

起止页码：1601-1604

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：提出了一个新的解析的适用于SOIMOSFET’s的高频噪声模型 .该模型通过耦合能量平衡方程克服了以往噪声模型所具有的缺点 ,并对短沟SOI器件的噪声给出精确地描述 .同时 ,利用该模型可以容易地计算出相对于最小噪声值处的优化的栅源电压 ,为低噪声的电路设计提供优化的设计方向 .由于该噪声模型的简单性 ,可以很方便地将模型植入电路模拟器如SPICE中完成电路设计 .

关 键 词：SOI MOSFET's  高频噪声  模型  短沟SOI器件  热噪声

分 类 号：TN305]