文献类型：期刊文章

作　　者：徐瑞霞[1] 陈子楷[1] 赵铭杰[2] 宁洪龙[2] 邹建华[2] 陶洪[2] 王磊[2] 徐苗[3] 彭俊彪[2]

机构地区：[1]广州新视界光电科技有限公司,广东广州510730 [2]华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室,广东广州510641 [3]华南理工大学电子与信息学院,广东广州510641

出　　处：《发光学报》

基　　金：广东省引进创新科研团队计划(201101C0105067115);中国科学院红外物理国家重点实验室开放课题(M201406);国家自然科学基金重点项目(61036007);国家自然科学基金面上项目(51173049);国家自然科学基金青年基金(61401156);中央高校基本科研业务费(2014ZZ0028);广州市科技计划(2013Y2-00114)资助项目

年　　份：2015

卷　　号：36

期　　号：8

起止页码：935-940

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CAS、CSCD、CSCD2015_2016、EI(收录号：20153601250583)、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：为了实现氧化物薄膜晶体管(TFT)的低电阻布线,采用Cu作为氧化物TFT的源漏电极。通过优化成膜工艺制备了电阻率低至2.0μΩ·cm的Cu膜,分析了Cu膜的晶体结构、粘附性及其与a-IZO薄膜的界面,制备了以a-IZO为有源层和Cu膜的粘附层的TFT器件。结果表明:所制备的Cu膜呈多晶结构;引入a-IZO粘附层增强了Cu膜与衬底的粘附性;同时,Cu在a-IZO中的扩散得到了抑制。所制备的TFT的迁移率、亚阈值摆幅和阈值电压分别为12.9 cm2/(V·s)、0.28 V/dec和-0.6 V。

关 键 词：薄膜晶体管 氧化铟锌  铜布线

分 类 号：TN321.5]