文献类型：期刊文章

作　　者：郑新和[1] 夏宇[1] 刘三姐[1] 王瑾[1] 侯彩霞[1] 王乃明[2] 卢建娅[2] 李宝吉[2]

机构地区：[1]北京科技大学数理学院物理系,北京100083 [2]中国科学院纳米器件与应用重点实验室中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,江苏苏州215123

出　　处：《发光学报》

基　　金：国家自然科学基金(61274134);上海空间电源研究所项目(Y1EAQ31001)资助

年　　份：2015

卷　　号：36

期　　号：8

起止页码：923-929

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2015_2016、EI(收录号：20153601250581)、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用分子束外延(MBE)生长技术生长了周期厚度不同的1 e V吸收带边的Ga N0.03As0.97/In0.09Ga0.91As应变补偿短周期超晶格(SPSL)。高分辨率X射线衍射(HRXRD)测量结果显示,当周期厚度从6 nm增加到20 nm时,超晶格的结晶质量明显改善。然而,当周期厚度继续增加时,超晶格品质劣化。对超晶格周期良好的样品通过退火优化,获得了具有低温光致发光现象的高含N量Ga NAs/In Ga As超晶格,吸收带边位于1 e V附近。使用10个周期的Ga NAs/In Ga As超晶格(10 nm/10 nm)和Ga As组成的p-i-n太阳电池的短路电流达到10.23 m A/cm2。经聚光测试获得的饱和电流密度、二极管理想因子与由电池暗态电流-电压曲线得到的结果一致。

关 键 词：GaNAs  超晶格 太阳电池 分子束外延生长

分 类 号：TM914.4]