文献类型：期刊文章

作　　者：辜敏[1,2] 杨防祖[2] 黄令[2] 姚士冰[2] 周绍民[2]

机构地区：[1]汕头大学化学系 [2]2厦门大学化学系,固体表面物理化学国家重点实验室,物理化学研究所,厦门361005

出　　处：《物理化学学报》

基　　金：国家自然科学基金(20073037);优秀国家重点实验室基金(20023001)

年　　份：2002

卷　　号：18

期　　号：11

起止页码：973-978

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、IC、INSPEC、JST、PUBMED、RCCSE、RSC、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000179364700003)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用电化学方法在H2SO4-CuSO4电解液中获得高择优取向的Cu电沉积层.XRD结果表明,在1.0～6.0和15.0A·dm-2的电流密度下可分别获得(220)和(111)晶面高择优取向的Cu镀层.在同一电流密度下获得的Cu电沉积层织构度随镀层厚度增大而提高.SEM结果表明,在4.0和15.0A·dm-2的电流密度下可分别获得(220)和(111)织构Cu沉积层,其表面形貌在(220)晶面取向时呈现为细长晶粒连结成的网状,在(111)取向时则呈六棱锥状.提出了可能的机理,认为电流密度变化引起的Cu镀层择优取向晶面的转化归因于电结晶晶面生长方向及生长速度竞争的结果.

关 键 词：择优取向  铜镀层 电化学形成  电沉积 表面形貌 镀铜

分 类 号：TQ153]