文献类型：期刊文章

作　　者：朱亚波[1] 王万录[1] 廖克俊[1]

机构地区：[1]重庆大学数理学院应用物理系

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金 (批准号 :5 0 0 0 5 0 2 7)资助课题~~

年　　份：2002

卷　　号：51

期　　号：10

起止页码：2335-2339

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2000、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：2004057993558)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000178899300032)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000178899300032)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：研究了外电场、碳纳米管自身线度、尤其管的阵列密度对碳纳米管的场发射性能的影响 ,从理论上深入探索碳纳米管阵列的电场增强因子并提出改善其场发射电子性能的有效途径 .研究结果表明 ,碳纳米管阵列的电场增强因子的数量级一般为 10 2 — 10 3,并对任何长径比的碳纳米管阵列 ,都对应着一个最佳阵列密度 ,当碳纳米管阵列密度取此最佳密度值时 ,其电场增强因子明显提高 .

关 键 词：场发射 碳纳米管阵列 最佳阵列密度  电场增强因子  长径比

分 类 号：O488]