文献类型：期刊文章

作　　者：王阳元[1] 康晋锋[1]

机构地区：[1]北京大学微电子学研究所,北京100871

出　　处：《Journal of Semiconductors》

年　　份：2002

卷　　号：23

期　　号：11

起止页码：1121-1134

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：半导体集成电路技术的发展对互连技术提出了新的需求 ,互连集成技术在近期和远期发展中将面临一系列技术和物理限制的挑战 ,其中 Cu互连技术的发明是半导体集成电路技术领域中具有革命性的技术进展之一 ,也是互连集成技术的解决方案之一 .在对互连集成技术中面临的技术与物理挑战的特点和可能的解决途径概括性介绍的基础上 ,重点介绍和评述了低 k介质和 Cu的互连集成技术及其所面临关键的技术问题 ,同时还对三维集成互连技术、RF互连技术和光互连技术等

关 键 词：超深亚微米 集成电路 低K介质 互连集成技术  RF互连  光互连

分 类 号：TN405.97]