文献类型：期刊文章

作　　者：刘玉学[1,2] 刘益春[1] 申德振[1] 钟国柱[1] 范希武[1] 孔祥贵[1]

机构地区：[1]中国科学院激发态物理重点实验室,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林长春130022 [2]东北师范大学物理系理论物理研究所,吉林长春130024

出　　处：《发光学报》

基　　金：国家自然科学基金资助项目 (60 1760 0 3 )

年　　份：2002

卷　　号：23

期　　号：5

起止页码：445-450

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、INSPEC、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：利用离子注入及后退火方法在光学纯的石英基片中注入 3× 10 17cm-2 剂量的Zn离子 ,然后在不同的退火条件下制备了高质量的镶嵌在SiO2 基质中的ZnO纳米粒子。X射线衍射光谱的实验结果表明 :在氧气气氛、70 0℃退火温度和 2小时退火时间条件下 ,得到了 (0 0 2 )择优取向镶嵌在SiO2 基质中的ZnO纳米粒子 ;而在 70 0℃退火温度、N2 和O2 气氛下顺次退火 1小时 ,得到了比上述条件 (0 0 2 )择优取向更好的ZnO纳米粒子。室温下对用上述两种条件制备的镶嵌在SiO2 基质中的ZnO纳米粒子观察到了自由激子吸收峰。室温光致发光谱中观察到了ZnO纳米粒子位于 3 2 9eV处的强紫外发射 ,紫外发射强度与深能级发光强度之比为4 0 ,紫外发射峰的半高宽为 96meV ,晶体质量类似于分子束外延方法生长的ZnO。在低温 (77K)光致发光谱中 。

关 键 词：后退火方法  制备  SiO2基质  结构  光学性质 离子注入 ZNO纳米粒子 光致发光 激子 氧化锌  二氧化硅基质  

分 类 号：TN304.21] O472.3]