文献类型：期刊文章

作　　者：于明道[1] 王冠宇[1] 苗乃丹[1] 文剑豪[1] 周春宇[2] 王巍[1]

YU Mingdao;WANG Guanyu;MIAO Naidan;WEN Jianhao;ZHOU Chunyu;WANG Wei(College of Electronic Engineering,Chongqing University of Posts and Telecommunications,Chongqing400065,P.R.China;Key Lab.for Microstruc.Mater.Phys.of Hebei Province,School of Sci.,Yanshan Univ.,Qinhuangdao,Hebei 066004,P.R.China)

机构地区：[1]重庆邮电大学光电工程学院,重庆400065 [2]燕山大学理学院河北省微结构材料物理重点实验室,河北秦皇岛066004

出　　处：《微电子学》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61404019,61704147)

年　　份：2019

卷　　号：49

期　　号：5

起止页码：735-740

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2017、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、IC、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：为了改善SiGe异质结双极型晶体管(HBT)的电学特性和频率特性,设计了一种新型的SGOI SiGe HBT。在发射区引入了双轴张应变Si层。多晶Si与应变Si双层组合的发射区有利于提高器件的注入效率。利用Silvaco TCAD软件建立了二维器件结构模型,模拟了器件的工艺流程,并对器件的电学特性和频率特性进行了仿真分析。结果表明,与传统的SiGe HBT相比,新型SGOI SiGe HBT的电流增益β、特征频率fT等参数得到明显改善,在基区Ge组分均匀分布的情况下,β提高了29倍,fT提高了39.9%。

关 键 词：绝缘衬底上硅锗  硅锗异质结双极晶体管  电流增益 特征频率  

分 类 号：TN322.8]