文献类型：期刊文章

作　　者：刘云霞[1,2] 张宇科[1,2] 冯国发[1,2] 周攀[1] 侯鹏飞[1,2]

LIU Yun-xia;ZHANG Yu-ke;FENG Guo-fa;ZHOU Pan;HOU Peng-fei(School of Materials Science and Engineering,Xiangtan University,Key Laboratory of Low-dimensional Materials and Application Technology,Ministry of Education,Xiangtan 411105;Science and Technology on Reliability Physics and Application Technology of Electronic Component Laboratory,Guangzhou 510610 China)

机构地区：[1]湘潭大学材料科学与工程学院,低维材料及其应用技术教育部重点实验室,湖南湘潭411105 [2]可靠性物理科学技术与电子元器件应用技术实验室,广东广州510610

出　　处：《湘潭大学学报（自然科学版）》

基　　金：湖南省自然科学青年基金项目(2019JJ50582);电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室开放基金项目(ZHD201803)

年　　份：2019

卷　　号：41

期　　号：4

起止页码：114-120

语　　种：中文

收录情况：AJ、CAS、MR、RCCSE、ZGKJHX、ZMATH、普通刊

摘　　要：α-In2Se3是一种典型的铁电材料,同时具有面内和面外方向的自发极化,可应用于发展通用的二维数据存储技术.该文利用第一性原理计算方法对单胞α-In2Se3进行了电学性质、弹性性能、面内面外极化强度的研究,发现在不同拉压应变下,面外的极化强度比面内变化更明显,极化向上的晶体结构面内刚度大于极化向下的,y方向的泊松比均大于x方向的.

关 键 词：α-硒化铟  铁电极化  第一性原理 极化强度 面内刚度  泊松比

分 类 号：TM221[材料类]