文献类型：期刊文章

作　　者：刘世明[1] 修俊山[1] 刘云燕[1]

Liu Shiming;Xiu Junshan;Liu Yunyan(School of Physics and Optoelectronic Engineering , Shandong University of Technology , Zibo , Shandong 255049, China)

机构地区：[1]山东理工大学物理与光电工程学院

出　　处：《中国激光》

基　　金：国家自然科学基金(11704228);山东省自然科学基金(ZR2016AQ22)

年　　份：2019

卷　　号：46

期　　号：9

起止页码：283-288

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2017、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2019_2020、EI、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用单靶磁控溅射方法在不同溅射时间下制备了铜铟镓硒薄膜,并且利用激光诱导击穿光谱技术实现对铜铟镓硒薄膜中元素含量比的快速定量分析。结果表明:随着溅射时间延长,Ga与(In+Ga)的谱线强度比值以及薄膜的禁带宽度同步变化,均呈先减小后增大的规律;铜铟镓硒薄膜的激光诱导击穿光谱图以及谱线分析、几种元素辐射强度比值的快速定量分析都表明,激光诱导击穿光谱技术能够间接地实现对铜铟镓硒薄膜中元素含量比的快速检测,能够在铜铟镓硒薄膜的性能分析以及制备参数优化方面发挥辅助作用。

关 键 词：光谱学 激光诱导击穿光谱 薄膜分析  光学禁带宽度  铜铟镓硒 磁控溅射

分 类 号：O657.3]