文献类型：期刊文章

作　　者：江天炎[1] 成守花[1] 毕茂强[1] 陈曦[1] 刘翔[1] 张博文[1]

JIANG Tianyan;CHENG Shouhua;BI Maoqiang;CHEN Xi;LIU Xiang;ZHANG Bowen(The school of Electrical and Electronic Engineering, Chongqing University of Technology, Chongqing 400054 , China)

机构地区：[1]重庆理工大学电气与电子工程学院

出　　处：《重庆理工大学学报（自然科学）》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(51507017,51607019);重庆市教育委员会科学技术研究项目(KJ1709200);重庆市能源互联网工程技术研究中心专项项目

年　　份：2019

卷　　号：33

期　　号：9

起止页码：151-158

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2017、CAS、JST、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：为预防绝缘缺陷引起的故障,对主绝缘划伤、含杂质、绝缘受潮和半导体尖端4种典型的绝缘缺陷进行电场和温度场仿真。通过对比有无缺陷时场强和温度的变化,利用特征线对比描述场强的畸变程度。仿真结果显示:即使微小的缺陷也会引起场强和温度的突变,对温度的影响稍微较小,其中接头受潮缺陷对场强影响最突出,半导体尖端缺陷对温度影响最大。随着缺陷大小的不同,场强畸变和温度变化程度也不同。本研究可为电缆接头局部放电监测和接头维修预防等提供理论参考。

关 键 词：电缆接头 绝缘缺陷 电场强度 温度场

分 类 号：TM21[材料类]