文献类型：期刊文章

作　　者：胡浩[1] 江向平[1] 陈超[1] 聂鑫[1] 黄枭坤[1] 苏春阳[1]

HU Hao;JIANG Xiang-Ping;CHEN Chao;NIE Xin;HUANG Xiao-Kun;SU Chun-Yang(Jiangxi Key Laboratory of Advanced Ceramic Materials,School of Material Science and Engineering,Jingdezhen Ceramic Institute,Jingdezhen 333001,China)

机构地区：[1]景德镇陶瓷大学材料科学与工程学院江西省先进陶瓷材料重点实验室

出　　处：《无机材料学报》

基　　金：国家自然科学基金(51562014,51602135,51862016,51762024);江西省自然科学基金(20171BAB216012);江西省教育厅科技项目(GJJ170789,GJJ170794,GJJ170804)~~

年　　份：2019

卷　　号：34

期　　号：9

起止页码：997-1003

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2017、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2019_2020、EI、IC、JST、RCCSE、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用固相法制备了Ce^3+掺杂的Na0.5Bi8.5–xCexTi7O27(NBT-BIT-x Ce,0≤x≤0.1)共生铋层状无铅压电陶瓷,研究了NBT-BIT-xCe陶瓷的结构和电学性能。研究结果表明所有陶瓷样品均为单一的铋层状结构,随Ce3+掺杂量的增加,样品的畸变程度呈现上升趋势,同时陶瓷晶粒的平均尺寸不断减小,介温谱和差热分析结果表明样品的介电双峰均对应于陶瓷内部结构的铁电相变。Ce^3+掺杂可以显著减少陶瓷内部的氧空位浓度以及降低陶瓷的介电损耗,提升陶瓷的压电常数(d33),当x=0.06时,陶瓷的综合电性能最佳:压电常数(d33)达到27.5 pC/N,居里温度(TC)达到658.2℃,介电损耗(tanδ)为0.39%。

关 键 词：压电陶瓷 Na0.5Bi8.5Ti7O27  氧空位 激活能

分 类 号：TQ174]