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期刊文章详细信息

pFlash故障测试算法    

Fault test algorithm based on pFlash

  

文献类型:期刊文章

作  者:杨丽婷[1] 王琴[1] 倪昊[2] 赵子鉴[2]

YANG Li-ting;WANG Qin;NI Hao;ZHAO Zi-jian(College of Electronic and Electrical Engineering, Shanghai Jiaotong University,Shanghai 200240, China;Semiconductor Manufacturing International Corporation,Shanghai 201203, China)

机构地区:[1]上海交通大学电子信息与电气工程学院,上海200240 [2]中芯国际集成电路制造有限公司,上海201203

出  处:《微电子学与计算机》

基  金:自然基金(61176037)

年  份:2019

卷  号:36

期  号:9

起止页码:55-60

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX2017、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:Flash存储器快速发展得益于便携式设备的进步,而pFlash存储器因编程电压低、功耗小并可以有效抑制带-带隧道效应而被广泛应用.由于可靠性和成本是衡量所有存储器设备性能的两个关键指标,本文提出了一种高效的pFlash故障测试算法来减小存储器的测试成本并保证其故障覆盖率.通过改变写入的测试向量以及写入的方式来准确定位pFlash存储器的故障.测试效率较于March-like算法提高了33%,且故障覆盖率仍然为100%.此算法用于开发pFlash内建自测试电路(BIST,Built-in Self Test)可以适当减少其硬件开销,用于测试机台可以减少测试时间.

关 键 词:pFlash故障检测算法  棋盘格式向量  March-like算法  Flash故障模型  

分 类 号:TN459]

参考文献:

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耦合文献:

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引证文献:

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同被引文献:

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