文献类型：期刊文章

作　　者：李富强[1] 赵子润[1] 魏洪涛[2]

Li Fuqiang;Zhao Zirun;Wei Hongtao(The 13th Research Institute,CETC,Shijiazhuang 050051,China;Science and Technology on ASIC Laboratory,Shijiazhuang 050051,China)

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051 [2]专用集成电路重点实验室,石家庄050051

出　　处：《半导体技术》

年　　份：2019

卷　　号：44

期　　号：8

起止页码：612-616

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2017、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：基于0.25μm GaAs增强/耗尽(E/D)型赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计并实现了一款集成了6 bit并行驱动器的数字衰减器单片微波集成电路(MMIC)。该衰减器采用T型衰减网络结构,不仅缩小了芯片面积,并且可实现较好的衰减精度和衰减附加相移。芯片在片测试结果表明,在-5 V电源电压下驱动器的静态电流为1.8 mA,响应速度为25 ns。在9~18 GHz频率范围内,衰减器芯片的插入损耗不大于3.6 dB,均方根衰减精度不大于0.7 dB,衰减附加相移为-2°~4°,输入电压驻波比(VSWR)不大于1.25∶1,输出VSWR不大于1.5∶1。芯片尺寸为1.6 mm×0.6 mm×0.1 mm。该电路具有响应速度快、功耗低、面积小、衰减附加相移小等优点,可广泛应用于通信设备和微波测量系统中。

关 键 词：单片微波集成电路(MMIC)  GaAs  赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)  增强/耗尽(E/D)型  数字衰减器 数字驱动器  

分 类 号：TN432] TN715